Samsung оголосила про плани випуску пам’яті 3D DRAM
На технологічній конференції Memcom компанія Samsung представила свій амбітний план щодо випуску нових продуктів, зокрема пам’ять 3D DRAM.
Про це повідомляє Tom's Hardware.
План передбачає впровадження першого технологічного процесу для виробництва 3D DRAM протягом наступних чотирьох років.
Одним із ключових аспектів є використання транзисторів з вертикальним каналом (VCT), що базується на технології FinFET. Ця технологія дасть змогу виробнику значно підвищити ефективність випуску пам’яті, зокрема, за переходу на техпроцеси тонше 10 нм.
Samsung також планує адаптувати технологію виробництва багаторівневої пам’яті DRAM вже на початку 2030-х років. Цей крок значно підвищить щільність їхніх чипів пам’яті, відкриваючи нові можливості для інновацій у сфері електроніки.
План компанії Samsung також включає у себе використання нових матеріалів для конденсаторів та розрядних шин, що є необхідним для виробництва DRAM на основі VCT.
Загалом, ці кроки підтверджують прагнення Samsung залишатися в лідерах на ринку електроніки, впроваджуючи передові технології та підвищуючи ефективність своїх продуктів.
