Упс! Не вдала спроба:(
Будь ласка, спробуйте ще раз.

Samsung розробила швидку оперативну пам'ять LLW DRAM

Артем Житкевич
Артем Житкевич
10 січня 2024 2 хвилин читання

Samsung розробляє новий тип пам'яті, який отримав назву Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, повідомляє Tom's Hardware. 

Ця пам'ять відзначається високою пропускною здатністю, мінімальною затримкою та низьким рівнем енергоспоживання.

Згідно з інформацією, наданою Samsung, LLW DRAM ідеально підходить для систем штучного інтелекту на основі великих мовних моделей (LLM).

Нова пам'ять пропонує широкі можливості вводу-виводу, низьку затримку і пропускну здатність на рівні 128 Гбайт/с на модуль. Це можна порівняти з поєднанням пам'яті DDR5-8000 і 128-бітної шини.

Однією з ключових особливостей LLW DRAM визначається його низьке енергоспоживання — лише 1,2 пДж/біт, хоча конкретна швидкість передачі, при якій вимірювалася ця величина, залишається невідомою.

Хоча Samsung ще не повідомила про терміни випуску нової пам'яті на ринок, враховуючи оприлюднені характеристики, розробка LLW DRAM, ймовірно, вже практично завершена.

Очікується, що ця інноваційна технологія буде використана в периферійних обчислювальних пристроях для систем штучного інтелекту — смартфони, ноутбуки та, можливо, автомобілі.

50 UAH 150 UAH 500 UAH 1000 UAH 3000 UAH 5000 UAH
0
Прокоментувати
Інші матеріали

Ілон Маск передумав судитися з OpenAI

Владислав Паливода 23 години тому

Ноутбуки Microsoft отримають чип MediaTek із штучним інтелектом на базі Arm

Владислав Паливода 12 червня 2024 09:13

Netpeak розповість, як автоматизувати бізнес-процеси за допомогою ШІ

Олеся Дерзська 11 червня 2024 18:57

Yahoo Mail отримує оновлення з функціями ШІ для кращого управління поштою

Вікторія Рудзінська 11 червня 2024 16:13

Ілон Маск може заборонити використання Apple своїм компаніям через сумніви у безпеці ШІ

Владислав Паливода 11 червня 2024 08:53