Samsung та SK Hynix працюють над зниженням енергоспоживання оперативної пам'яті
Як повідомляє DigiTimes, Samsung створила чипи DDR5 об’ємом 16 ГБ на базі CXL, які на 23% економніші в енергоспоживанні за аналогічні чипи попереднього покоління. За підтримки Сеульського національного університету Samsung продовжує працювати над подальшим зменшенням енергоспоживання.
Сам університет також проводить дослідження в цьому напрямку і вже розробив нову технологію DRAM Translation Layer. За допомогою цієї технології можна знизити енергоспоживання оперативної пам'яті ще на 31,6%.
SK Hynix, інший великий виробник оперативної пам’яті, також представив нове покоління LPDDR5X, в якому застосовано технічний процес High-K Metal Gate. Завдяки матеріалу з оптимальною діелектричною проникністю вдалося збільшити заряд у комірці в п’ять разів, зменшивши при цьому струми витоку.
Таким чином, нова оперативна пам’ять LPDDR5X від SK Hynix має на 33% більшу продуктивність при 20% економії в енергоспоживанні порівняно з попереднім поколінням.
